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晶體尺寸：~6毫米 電學性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
硒化鎢鉬晶體 MoWSe2（Molybdenum Tungsten Diselenide） 晶體尺寸：6毫米 電學性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：取決于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硒化鈮晶體 2H-NbSe2（Niobium Selenide） 晶體尺寸：~10毫米 電學性能：金屬，半導體（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves （CDW） system, Tcdw ~33K 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體
二硒化鉑晶體 PtSe2 （Platinum Selenide） 晶體尺寸：2-3毫米 電學性能：半金屬 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硒化錸晶體 ReSe2（Rhenium Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：n型半導體 晶體結構：三斜晶系 晶胞參數：a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
二硒化錫晶體 SnSe2 （Tin Selenide） 晶體尺寸：~8毫米 電學性能：半導體 晶體結構：六邊形 晶胞參數：a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶體類型：合成 晶體純度：＞99.995%
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